EUV深亚微米光刻技术

****EUV深亚微米光刻技术

甚远紫外线（EUV）：这是目前距实用话最近的一种深亚微米的光刻技术。他仍然采用前面提到的分步投影光刻系统，只是改变光源的波长，即采用波长更短的远紫外线。目前已经采用248NM、193nm的准分子激光光刻出0.18um的细线条，在采用近程校正、移相掩膜等新技术后可达到0.15um。波长为157nm的准分子激光光刻技术也将近期投入应用。如果采用波长为13nm的EUV，则可得到0.1um的细条。采用的EUV进行光刻的主要难点是很难找到合适的制作掩膜版的材料和光学系统。（金属MO和硅组成的多层膜构）
根据06年5月份在温哥华举行的受邀光刻技术论坛披露的报告，当问及在2015年的22钠米技术哪种光刻技术会成为半导体制造公司生产高端芯片的主流技术时，极紫外光刻技术具有压倒性的优势，约60%被调研者看好这项技术。