求助：MOS管为什么烧？

搭建电路测试MOS管的导通电阻RDS（ON）时出现的问题，MOS管击穿。
以下是我的测试思路及方法，请大家帮助分析一下！
一、原理：
当VGS＝0V时，漏源之间相当于两个背靠背的二极管，在D、S之间加电压不会在D、S间形成电流。
当栅极加有电压时，若0＜VCS＜VGS(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，出现一薄层负离子的耗尽层，耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流ID。
进一步增加VGS，当VGS＞VGS(th)时（即开启电压），由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚焦较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。随着VSG的继续增加，ID将不断增加。在VSG＝0V时ID＝0,只有当V GS＞VGS(th)后才会出现漏极电流。

二、漏-源导通电阻值：　RDS(ON)=U/I

三、电路图如图所示：

四、试验步骤：
1、3V电源给MOS管的漏极供电，电流表测得的值即为ID。
10V电源给MOS管的栅极供电。
2、RDS（ON）的测试条件：规定的ID、VGS。
［［［ 以IRF630N为例，ID＝5.4A、VGS＝10V ］］］
3、测试时，依图接线，且保证ID＝5.4A。
先接通3V电源，然后按下开关S1,迅速读出电压表的值（假设为V1）后松开开关S1。再次按下开关S1,发现电压表无读数。
4、验证：经确认，MOS管已被击穿。

五、总结：测试方法从原理上是讲的通的，电路也应该没有问题。是否是加电时间过长造成的？（因为在部分DATASHEET中，RDS（ON）的测试，有一个小备注：pulse width ≤40μS，duty cycle≤2%）