防静电

一.静电防护常识
1。在信息网络，数字化彩电，DVD，超小型手机及SMT等高新技术领域，静电通常被称为“隐形杀手”对静电不加以认真的防护，极度易造成元器件的损坏及整极度不合格。
2。在黑暗中脱一件晴伦外套，会伴有“啪，啪”声，并疲惫不堪大量火花，这就是静电。静电电压高达3000V左右。因为无法形成电流，所以不会对人造成伤害，但在微电子领域，因这些器件集成度高，功率低，低电压，输入阻抗高，敏感性强，极度易受到静电伤寄存，如果静电电压达到250，那么，90%以上的器件都会被击穿。
3.静电防护通常采用以下几种方法。
1.静电屏蔽:用静电屏蔽袋,静电屏蔽壳装饰电子无件包装起来,或用屏蔽涂料,门把外界电荷隔开.
2.接地线:使用静电腕带,如垫,地垫通过接地线把静电放掉.
3.离子中和:由一种吹出离子风的装置.应用电晕放电原理吹向指定空间的正负离子中和带静电物体上所带的静电电荷.
什么作业员在作业时要戴静电环?
由于作业员在作业时要触摸到很多对静电敏感的元件,为防止其受静电损伤而必须戴静电
二、静电产生的原理:
1. 绝缘体之间摩擦而产生静电
2. 传导:
3. 感应:
4.静电感应对甚么材料有用?
只对导体、半导体有用。
三、 静电电荷产生的种类:
1. 摩擦; 2.分离; 3.电场感应; 4.传导。
四、电荷对微电子工业的影响:
1. 微粒污染:在洁净室里是使直径在0.1~1.0微米之间的颗粒沉积的主要原因。当芯片带有静电后就容易沉积灰尘。
2. ESD失效(ESD:中文总量:静电电压放电)静电放电时，当放电电流过大，产生过度热能，将会击穿集成电路内部线路。
三种击穿现象:1.热击穿:P-N接口破坏;
2.介电击穿:氧化层的破坏;
3.金属汽化:金属线被汽化而开路。
五、半导体的静电敏感度:
装置型式 静电放电敏感度范围V 装置型式 静电放电敏感度范围V
VMOS 30-1800V 散粒(肖特基)二极管 300-2500
MOSFET 100-200V 薄片电阻(原细) 300-3000
GASFET 100-300V 双向晶体管 380-7000
EPPROM 100V ECL(发射极耦合逻辑电路) 500-1500JFET 140-7000V SCR(可控硅) 680-1000
SAM 150-1500V 散粒(肖特基)晶体管 1000-2500
OP-AMP 190-2500V --晶体管逻辑电路 1000-2500
CMOS 250-3000V
六、静电放电的三种形式:人体形式;微电子器件带电形式;场感应形式;
1. 人体形式:当人体活动时身体和衣服之间摩擦产生静电，若不及时将静电释放给大地而直接把静电转移给ESD敏感装置而造成损坏。
2. 微电子器件带电形式:在自动化生产过程中，一些塑料器件因摩擦产生静电，通过ESD敏感装置接触，造成损坏。
3. 场感形式:在有强电场围绕进，能通过感应方法损坏ESD敏感装置。
七、 D等级分类及控制程序:
1. ESD等级分类:
等级 电压范围 典型设备
0 0-100V EPPOM VMOS MOSFET,GAAS.FET.SAM
1 100-1000V OPAMPA.SCR.FFET薄膜电阻.二极管
2 1000-4000V PROTEETED.MOS,SCHOTTKY.TTL.OPAMP AND LSI
3 4000-15000V 大多数其它半导体
2. ESD失效的潜伏性:有时ESD并没有把半导体完全破坏，而只把组件某部份的品质降低。从事ESD敏感半导体等行业应注意以下几点:
A::将会累积进来加深其损坏的严重性;
B::在任何场合都会发生;
C::在远送ESD敏感性组件，更加无法估计其产生的可能性;
D::不只是影响成品用家也会影响各层制造商的维修费及声誉;
E::目前还没