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EOS与ESD的区别 一、什麼是EOS？
EOS为Electrical Over Stress的缩写，指所有的过度电性应力。当外界电流或电压超过器件的最大规范条件时，器件性能会减弱甚至损坏。
EOS通常产生于
1.电源(AC/DC) 干扰、电源杂讯和过电压。
2.由于测试程式切换（热切换）导致的瞬变电流/峰值/低频干扰。其过程持续时间可能是几微秒到几秒（也可能是几纳秒），很短的EOS 脉冲导致的损坏与ESD损坏相似。
3.闪电。
4.测试程式开关引起的瞬态/毛刺/短时脉冲波形干扰。
5.测试设计欠佳，例如，在器件尚未加电或已超过其操作上限的情况下给器件发送测试信号。再比如在对器件供电之前加入测试信号，或超过最大操作条件。
6.来自其他设备的脉冲信号干扰，即从其他装置发送的脉冲。
7.不恰当的工作步骤，工作流程不甚合理
8.接地点反跳（由于接地点不够导致电流快速转换引起高电压）
二、什麼是ESD？
ESD是英文Electrical Static Discharge的
缩小，中文释为静电放电。电荷从一个物体转移到另一个物体。静电是一种客观的自然现象，产生的方式多种，如接触、摩擦等。静电的特点是高电压、低电量、小
电流和作用时间短的特点。人体自身的动作或与其他物体的接触，分离，摩擦或感应等因素，可以产生几千伏甚至上万伏的静电。静电在多个领域造成严重危害。摩
擦起电和人体静电是电子工业中的两大危害。生产过程中静电防护的主要措施为静电洩露、耗散、中和、增湿，遮罩与接地。人体静电防护系统主要有防静电手腕
带，脚腕带，工作服、鞋袜、帽、手套或指套等组成，具有静电洩露，中和与遮罩等功能。静电防护工作是一项长期的系统工程，任何环节的失误或疏漏，都将导致
静电防护工作的失败。
三、对比区别
EOS
ESD
典型地,由电源和测试设备产生
ESD属于EOS的特例，有限的能量,由静电荷引起
事件持续时间在微秒~秒级. (也可能是毫微秒)
事件持续时间在微微秒~毫微秒级
损坏的现象包括金属线熔化、发热、高功率、閂锁效应
其可见性不强损坏位置不易发现,
短的EOS脉冲损坏看起来像ESD损坏
通常导致电晶体级别的损坏。
四、静电防护
1.设定静电区域
说明:在生产现场设定静电敏感区域，并且要做明显警示，使到现场的每个人都能注意。
2、静电区域内注意事项
a.操作者应该佩戴防静电腕带，应该穿着防静电服装，鞋，围巾，椅子应该套防静电套。（一端与人体接触，另一端与地线相连）
b.有可能放置PBA的区域内要贴防静电桌布，并且要联结防静电接地扣。
c.静电区域内所有的物品静电不能超过100V静电区域内的容器应该用防静电材料的，若静电区域内的物品的静电电压超过100V时，这是应该采用去离子风机消除物体表面静电。注：不可在防静电区域内放置与生产活动无关的物品。
3.环境湿度要以50%~60%左LED分光分色要点近年来，LED应用产品尤其是半导体照明产品对大功率LED需求越来越旺，同时对LED的品质要求也越来越高，其主要表现在以下几个方面：
1.正向电压测试：正向电压的范围需在电路设计的许可范围内，很多客户设计驱动发光管点亮都以电压方式电量，正向电压大小直接会影响到电路整体参数的改变，从而会给产品品质带来隐患。另外，对于一些电路功耗有要求的产品，则希望保证同样的发光效率下正向电压越低越好。
光
通量是指光源在单位时间内发出的光量，即辐射功率能够被人眼所感受到的那部分辐射能量。它等于单位时间内某一波段的辐射能量和该波段的相对视见率的乘积。
由于人眼对不同波长光的相对视见率不同，所以不同波长光的辐射功率相等时，光通量并不相等。光通量的符号为Φ，单位为流明（Lm）。
根据光谱辐射通量Φ（λ），因此可得出光通量公式：
Φ=Km■Φ（λ）gV（λ）dλ
式子中，Ｖ（λ）—相对光谱光视效率；Km—辐射的光谱光视效能的最大值，单位为Lm/W。1977年由国际计量委员会确定Km值为683Lm/W（λm＝555nm）。
二、 光强度
光强度是指在单位时间内单位面积上通过的光能量，能量与频率成正比，是他们的强度之和(即积分)，也可以理解为光源在给定方向上的发光强度I是该光源在该方向的立体角元内传输的光通量ｄΦ除以该立体角元ｄΩ之商
发光强度的单位是坎德拉（cd），1cd＝1Lm/1sr。空间各个方向的光强之和就是光通量。
三、光亮度
我们在测试LED芯片的亮度和评价LED光辐射安全性的过程中，一般采用成像法，对于芯片的测试可以采用显微成像进行测量。光亮度是光源发光表面上某一处的亮度L，是该面元ｄＳ在给定方向上的发光强度除以该面元在垂直于给定方向平面上的正投影面积之商
光亮度的单位是坎德拉每平方米（cd/m2）。当发光表面与测量方向垂直时，则cosθ＝１。
四、光照度
光照度是指物体被照亮的程度，采用单位面积所接受的光通量来表示。光照度与照明光源、被照表面及光源在空间的位置有关，大小与光源的光强和光线的入射角的余玄成正比，而与光源至被照物体表面的距离的平方成反比。表面上一点的照度E是入射在包含该点面元上的光通量ｄΦ除以该面元面积ｄＳ之商。
单位为勒克斯（LX），1LX＝1Lm/m2。
EOS为Electrical Over Stress的缩写，指所有的过度电性应力。当外界电流或电压超过器件的最大规范条件时，器件性能会减弱甚至损坏。
EOS通常产生于
1.电源(AC/DC) 干扰、电源杂讯和过电压。
2.由于测试程式切换（热切换）导致的瞬变电流/峰值/低频干扰。其过程持续时间可能是几微秒到几秒（也可能是几纳秒），很短的EOS 脉冲导致的损坏与ESD损坏相似。
3.闪电。
4.测试程式开关引起的瞬态/毛刺/短时脉冲波形干扰。
5.测试设计欠佳，例如，在器件尚未加电或已超过其操作上限的情况下给器件发送测试信号。再比如在对器件供电之前加入测试信号，或超过最大操作条件。
6.来自其他设备的脉冲信号干扰，即从其他装置发送的脉冲。
7.不恰当的工作步骤，工作流程不甚合理
8.接地点反跳（由于接地点不够导致电流快速转换引起高电压）
二、什麼是ESD？
ESD是英文Electrical Static Discharge的
缩小，中文释为静电放电。电荷从一个物体转移到另一个物体。静电是一种客观的自然现象，产生的方式多种，如接触、摩擦等。静电的特点是高电压、低电量、小
电流和作用时间短的特点。人体自身的动作或与其他物体的接触，分离，摩擦或感应等因素，可以产生几千伏甚至上万伏的静电。静电在多个领域造成严重危害。摩
擦起电和人体静电是电子工业中的两大危害。生产过程中静电防护的主要措施为静电洩露、耗散、中和、增湿，遮罩与接地。人体静电防护系统主要有防静电手腕
带，脚腕带，工作服、鞋袜、帽、手套或指套等组成，具有静电洩露，中和与遮罩等功能。静电防护工作是一项长期的系统工程，任何环节的失误或疏漏，都将导致
静电防护工作的失败。
三、对比区别
EOS
ESD
典型地,由电源和测试设备产生
ESD属于EOS的特例，有限的能量,由静电荷引起
事件持续时间在微秒~秒级. (也可能是毫微秒)
事件持续时间在微微秒~毫微秒级
损坏的现象包括金属线熔化、发热、高功率、閂锁效应
其可见性不强损坏位置不易发现,
短的EOS脉冲损坏看起来像ESD损坏
通常导致电晶体级别的损坏。
四、静电防护
1.设定静电区域
说明:在生产现场设定静电敏感区域，并且要做明显警示，使到现场的每个人都能注意。
2、静电区域内注意事项
a.操作者应该佩戴防静电腕带，应该穿着防静电服装，鞋，围巾，椅子应该套防静电套。（一端与人体接触，另一端与地线相连）
b.有可能放置PBA的区域内要贴防静电桌布，并且要联结防静电接地扣。
c.静电区域内所有的物品静电不能超过100V静电区域内的容器应该用防静电材料的，若静电区域内的物品的静电电压超过100V时，这是应该采用去离子风机消除物体表面静电。注：不可在防静电区域内放置与生产活动无关的物品。
3.环境湿度要以50%~60%左LED分光分色要点近年来，LED应用产品尤其是半导体照明产品对大功率LED需求越来越旺，同时对LED的品质要求也越来越高，其主要表现在以下几个方面：
1.正向电压测试：正向电压的范围需在电路设计的许可范围内，很多客户设计驱动发光管点亮都以电压方式电量，正向电压大小直接会影响到电路整体参数的改变，从而会给产品品质带来隐患。另外，对于一些电路功耗有要求的产品，则希望保证同样的发光效率下正向电压越低越好。
- 光通量分档：光通量值是LED用户很关心的一个指标，LED应用客户必须要知道自己所使用的LED光通量在哪个范围，这样才能保证自己产品亮度的均匀性和一致性。
- 反向漏电流测试：反向漏电流在载入一定的电压下要低于要求的值，生产过程中由于静电、芯片品质等因素引起LED反向漏电流过高，这会给LED应用产品埋下极大的隐患，在使用一段时间后很容易造成LED死灯。
- 显色指数分档：显色指数直接关係到光照射到物体上物体的变色程度，对于LED照明产品这个参数就显得非常重要。
- 色品座标x,y分档：对于白光或者单色光都可以用色品参数来表达LED在哪个色区域，一般都要求四点x,y确定一个色品区域。必须通过一定测试手段保证LED究竟是否落在所要求的四点x,y色品区域内。
光
通量是指光源在单位时间内发出的光量，即辐射功率能够被人眼所感受到的那部分辐射能量。它等于单位时间内某一波段的辐射能量和该波段的相对视见率的乘积。
由于人眼对不同波长光的相对视见率不同，所以不同波长光的辐射功率相等时，光通量并不相等。光通量的符号为Φ，单位为流明（Lm）。
根据光谱辐射通量Φ（λ），因此可得出光通量公式：
Φ=Km■Φ（λ）gV（λ）dλ
式子中，Ｖ（λ）—相对光谱光视效率；Km—辐射的光谱光视效能的最大值，单位为Lm/W。1977年由国际计量委员会确定Km值为683Lm/W（λm＝555nm）。
二、 光强度
光强度是指在单位时间内单位面积上通过的光能量，能量与频率成正比，是他们的强度之和(即积分)，也可以理解为光源在给定方向上的发光强度I是该光源在该方向的立体角元内传输的光通量ｄΦ除以该立体角元ｄΩ之商
发光强度的单位是坎德拉（cd），1cd＝1Lm/1sr。空间各个方向的光强之和就是光通量。
三、光亮度
我们在测试LED芯片的亮度和评价LED光辐射安全性的过程中，一般采用成像法，对于芯片的测试可以采用显微成像进行测量。光亮度是光源发光表面上某一处的亮度L，是该面元ｄＳ在给定方向上的发光强度除以该面元在垂直于给定方向平面上的正投影面积之商
光亮度的单位是坎德拉每平方米（cd/m2）。当发光表面与测量方向垂直时，则cosθ＝１。
四、光照度
光照度是指物体被照亮的程度，采用单位面积所接受的光通量来表示。光照度与照明光源、被照表面及光源在空间的位置有关，大小与光源的光强和光线的入射角的余玄成正比，而与光源至被照物体表面的距离的平方成反比。表面上一点的照度E是入射在包含该点面元上的光通量ｄΦ除以该面元面积ｄＳ之商。
单位为勒克斯（LX），1LX＝1Lm/m2。
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